Das auf Leuchtdioden und Halbleiter-Lichtquellen spezialisierte Schlieremer Unternehmen EXALOS hat laut einer Mitteilung neuartige Einzelfrequenz-Laserdioden entwickelt. Sie basieren auf einem proprietären monolithischen DFB-Design (Distributed Feedback) und verwenden GaN-Verbindungshalbleiter. Dieser Durchbruch im Design stelle einen bahnbrechenden Fortschritt in der Laserdiodentechnologie dar und biete eine überlegene Wellenlängenkontrolle und Stabilität, heisst es in der Mitteilung.
Die Technologie arbeitet in einem Wellenlängenbereich vom nahen UV-Bereich (390 Nanometer) bis zu Grün (535 Nanometer). Das wellenlängenunabhängige Design gewährleiste eine aussergewöhnliche Kontrolle und Stabilität der Laserwellenlängen und eine schmale Linienbreite über einen breiten Bereich von Ausgangsleistungen, heisst es in der Mitteilung zu den technischen Details.
Die erste DFB-Laserdiode des EXALOS-Portfolios mit Single-Transversal-Mode-Betrieb und einer Emissionswellenlänge von 450 Nanometern wird derzeit umfangreichen Lebensdauertests bei Leistungen von 30 bis 50 Milliwatt) unterzogen. Bislang haben die Prototypen nach mehr als 1500 Stunden Dauerbetrieb eine „aussergewöhnliche Stabilität mit minimalen Anzeichen von Degradation" gezeigt, heisst es von EXALOS.
„Wir freuen uns, diese revolutionäre Lasertechnologie auf den Markt zu bringen“, wird Philipp Vorreau zitiert, General Manager bei EXALOS. Das firmeneigene Design biete eine „beispiellose Vielseitigkeit für Anwendungen, die eine hohe Wellenlängenpräzision und Zuverlässigkeit erfordern“, so Vorreau weiter. ce/gba
